晶粒尺寸调控石墨烯研究取得新成果
中科院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室先进炭材料研究部石墨烯研究组的最新研究成果问世，相关论文于2月16日在《自然—通讯》在线发表。
晶界是在化学气相沉积(CVD)方法制备的大面积石墨烯薄膜中普遍存在的缺陷。深入理解晶界对石墨烯的电学和热学性质的影响对发展基于石墨烯的电子、光电和热电器件具有重要意义。
石墨烯研究组采用溶碳量适中的金属铂片作为生长基体，发展出一种基于“析出—表面吸附生长”原理的CVD方法，仅通过改变析出温度便实现了对石墨烯形核密度的控制，制备出晶粒尺寸在~200纳米到~1微米范围内均一可调且晶界完美拼合的高质量单层多晶石墨烯薄膜。
马腾指出，根据该影响规律研究组推算，当石墨烯的晶粒尺寸从1毫米减小到5纳米时，其热导率的衰减幅度可达300倍，而电导率的衰减仅为10倍左右，并且热导率和电导率随晶粒尺寸变化的变化率高于典型的半导体热电材料。
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